- 功能/应用范围： 微纳器件加工中曝光微米级结构图型
- 主要技术指标： 1.紫外光波长：350nm～450nm Exposure wavelength:350nm～450nm 2.光强均匀性：2% （3英寸的衬底） Light intensity uniformity:2% （3” wafer） 3.分辨率: 0.8μm； Resolution: 0.8μm； 4.正面套准精度：0.5μm Top side overlay accuracy: 0.5μm 5.背面套准精度：1μm Back side overlay accuracy:1μm 6.基片尺寸：支持4、3以及破片 Substrate size: 3 inch, 4inch, 6inch, and piece parts.